新的超级结STPOWER MDmesh K6系列提高了几个关键参数,以最小化系统功耗。它适用于基于反激拓扑的照明应用,如LED驱动器、HID灯、适配器和平板显示器的电源。
与800V STPOWER MDmesh K6系列,意法半导体正在为这种超级结技术设定基准,将一流的性能与易用性相结合。MDmesh K6,目前市场上可用的最高RDS(on) x区域为800V,允许紧凑的新设计,将高功率密度与效率相结合。
此外,与前一代MDmesh K5相比,K6系列具有更低的阈值电压,实现更低的驱动电压,减少功耗,并获得效率,主要用于零瓦待机应用。
总的栅极电荷(Qg)也很低,允许高开关速度和低损耗。
集成ESD保护二极管增加了MOSFET的整体坚固性,达到人体模型(HBM) 2类。
“我们已经测试和评估样本的新超级结电压很高MDmesh转K6系列和注意到,留下了深刻的印象突出Rdson *面积和总闸极电荷(路上)性能特征,“卢卡·科伦坡说,首席技术官和研发经理,TCI,意大利固态照明创新者(了解更多TCI).
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