意法半导体”STGAP2SiCSN单通道门驱动器,优化控制碳化硅mosfet,现在在节省空间,窄体SO-8封装,提供可靠的性能与精确的PWM控制。
随着碳化硅技术被广泛应用于提高功率转换效率,STGAP2SiCSN简化了设计,节省了空间,并增强了节能电力系统、驱动和控制的稳健性和可靠性。
应用领域包括电动汽车充电系统、开关模式电源、高压功率因数校正(PFC)、DC/DC转换器、不间断电源(UPS)、太阳能、电机驱动、风扇、工厂自动化、家用电器和感应加热。
STGAP2SiCSN具有栅驱动通道和低压控制之间的电隔离特性,在高压轨道上可工作高达1700V。小于75ns的输入输出传播时间确保了高PWM精度,多亏了±100V/ns的共模暂态抗扰度(CMTI),开关可靠。
内置保护包括欠压锁定(UVLO),通过调整阈值来防止SiC电源开关在低效率或不安全的条件下运行,以及热关机,如果检测到过高的结温度,则驱动器输出变低。
两种可选配置,提供单独输出的选择,允许开启和关闭时间独立优化使用外部电阻或单一输出与主动米勒钳位功能。
单输出配置提高了高频硬开关应用的稳定性,利用米勒钳防止电源开关过度振荡。
STGAP2SiCSN逻辑输入与TTL和CMOS逻辑兼容至3.3V,简化了与主微控制器或DSP的连接。在门驱动电压高达26V时,该驱动器可以sink和source高达4A。集成的自举二极管简化了设计并提高了可靠性,带有独立输入引脚的关闭模式有助于最小化系统功耗。
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