威世半导体有限公司引入了两种新的n通道沟槽场效应晶体管mosfet,提高了通信和工业应用中的功率密度、效率和板级可靠性。
为了实现这些设计目标,60vSiJH600E和80 VSiJH800E结合超低导通电阻+175°C高温操作和高连续漏电流处理。
节省空间的PowerPAK 8x8L封装提升了板级的可靠性,其结合无线结构和用于机械应力缓解的gulwing引线。
SiJH600E和SiJH800E的超低导通电阻- 0.65 mΩ和1.22 mΩ典型在10v下,分别比PowerPAK SO-8的同代设备低54%和52%。这转化为能源节省,最大限度地减少电力损失,由于传导。
为了提高功率密度,SiJH600E和SiJH800E在封装比D小60%和薄57%的情况下,分别提供373和288a的连续漏极电流2巴基斯坦人。
为了节省板空间,每个MOSFET也可以用来代替两个PowerPAK SO-8并联设备。
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